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FDMS8050ET30
N沟道PowerTrench MOSFET，适用于DC/DC转换器，具备高可靠性和高效率
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8050ET30
- 商品编号
- C891080
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 204nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 16.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.455nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计,可最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷和极低的rDS(on)进行了优化。
商品特性
- 扩展的TJ额定值至175°C
- 在VGS = 10 V、ID = 55 A时,最大rDS(on) = 0.65 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 47 A时,最大rDS(on) = 0.9 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门FET
- 同步整流器