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FDMS8320LDC
耐压:40V 电流:192A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8320LDC
- 商品编号
- C891082
- 商品封装
- DualCool-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 192A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（ON Semiconductor）先进的POWERTRENCH工艺制造。结合了硅技术和双散热（DUAL COOL）封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下实现出色的开关性能，同时提供极低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 44 A条件下,最大RDS(on) = 1.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 37 A条件下,最大RDS(on) = 1.5 mΩ
- 采用先进的封装与硅技术组合,实现低RDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 该器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
-理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换