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FDMS7670
耐压:30V 电流:21A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7670
- 商品编号
- C891071
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,21A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 990pF |
商品概述
该器件在双MLP封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点内部已连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 10.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 13.6 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 15 A时，最大rDS(on) = 6.3 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.2 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore