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FDMS7692
FDMS7692
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管反向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7692
- 商品编号
- C891074
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 13 A 时,最大 rDS(on) = 7.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 10 A 时,最大 rDS(on) = 13 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,专为软恢复设计
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换