温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS8023S
1个N沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:49A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FDMS8023S 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8023S
- 商品编号
- C891077
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A；26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,26A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 7 A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 39 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换