- 引脚图
- 焊盘图
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FDMS7692A
FDMS7692A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7692A
- 商品编号
- C891075
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 14 mΩ
- 先进的封装与硅片组合,实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIIs测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换