温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS7650DC
N沟道 30V 100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7650DC
- 商品编号
- C891068
- 商品封装
- DualCool-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.44nF |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）经过精心设计，可实现最佳电源效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 10 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 14.5 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 18 A时，最大rDS(on) = 5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 17 A时，最大rDS(on) = 5.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点
- 笔记本电脑VCORE