- 引脚图
- 焊盘图
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FDMS7556S
FDMS7556S
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7556S
- 商品编号
- C891062
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 314pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.94nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
FDMS7556S专为最大限度减少电源转换应用中的损耗而设计。结合了硅和封装技术的进步,在保持出色开关性能的同时,实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.2 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 31 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.65 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行非钳位电感开关(UII)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压转换器的同步整流器
- 笔记本电脑
- 服务器
- 电信
- 高效直流-直流开关模式电源