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FDMS5352
FDMS5352
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS5352
- 商品编号
- C891060
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13.6 A时,最大rDS(on) = 6.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 12.3 A时,最大rDS(on) = 8.2 mΩ
- 先进的封装与硅片组合,实现低rDS(on)
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%通过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换