温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS4D4N08C
耐压:80V 电流:123A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用先进的 PowerTrench工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS4D4N08C
- 商品编号
- C891059
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 123A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V,44A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.09nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2：N沟道
- VGS = 10 V、ID = 27 A时，最大rDS(on) = 1.9 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.8 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，以降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore