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FDMS039N08B
N沟道功率沟槽MOSFET，80V，100A，3.9mΩ
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS039N08B
- 商品编号
- C891043
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 881pF |
商品概述
UltraFET器件融合了多种特性，可在电源转换应用中实现卓越的效率。这些器件针对导通状态下的漏源电阻（rDS(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷和米勒栅极电荷进行了优化，非常适合高频直流 - 直流转换器。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 10.6 A时，最大导通状态漏源电阻（rDS(on)） = 11.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 6 V、漏极电流（ID） = 8 A时，最大导通状态漏源电阻（rDS(on)） = 16.5 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 10 V时，典型栅极电荷（Qg） = 32 nC
- 低米勒电荷
- 高频下效率优化
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流转换