FDMS3660AS
耐压:30V 电流:30A 电流:13A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3660AS
- 商品编号
- C891054
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.23nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS7656AS旨在最大程度降低电源转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时,最大rDS(on) = 1.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 27 A时,最大rDS(on) = 2.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成技术可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点应用-笔记本电脑Vcore