温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS3662
FDMS3662
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3662
- 商品编号
- C891055
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 8.9 A 条件下,最大 rDS(on) = 14.8 m Ω
- 采用先进的封装与硅片组合技术,实现低RDS(ON)
- 采用MSL1高可靠性封装设计
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换