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FDMS3662
FDMS3662
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3662
- 商品编号
- C891055
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -1 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 1.2 Ω
- 栅源电压（VGS） = -6 V、漏极电流（ID） = -0.9 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 1.4 Ω
- 极低导通电阻的中压P沟道硅技术，针对低栅极电荷（Qg）进行了优化
- 该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关