FDMS3668S
2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3668S
- 商品编号
- C891057
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 8 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时,最大rDS(on) = 11 m Ω
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 5 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.2 m Ω
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑VCORE