FDMS3668S
2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:18A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3668S
- 商品编号
- C891057
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准