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FDMS3669S
2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:18A
- 描述
- 此器件包含两个专用 N 沟道 MOSFET，采用双 PQFN 封装。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3669S
- 商品编号
- C891058
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.605nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 10 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 14.5 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 18 A时,最大rDS(on) = 5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点
- 笔记本电脑VCORE