温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS3664S
2个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:25A
- 描述
- 此器件包含两个专用 N 沟道 MOSFET，采用双 PQFN 封装。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3664S
- 商品编号
- C891056
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.765nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 44 A条件下，最大RDS(on) = 1.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 37 A条件下，最大RDS(on) = 1.5 mΩ
- 采用先进的封装与硅技术组合，实现低RDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 该器件无铅、无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换