- 引脚图
- 焊盘图
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FDMS3600AS
FDMS3600AS
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3600AS
- 商品编号
- C891050
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V；25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V；4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC；19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF；4.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF；156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.27nF；358pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步整流MOSFET(Q2)的设计旨在实现最佳电源效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 5.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 14 A时,最大rDS(on) = 8.5 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时,最大rDS(on) = 1.6 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 25 A时,最大rDS(on) = 2.4 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域
- 通信领域
- 通用负载点
- 笔记本电脑VCORE