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FDMS10C4D2N
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS10C4D2N
- 商品编号
- C891044
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS0309AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 44 A时,最大rDS(on) = 4.2 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 14 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-工业电机驱动-工业电源-工业自动化-电池供电工具-电池保护-太阳能逆变器-不间断电源和能量逆变器-储能-负载开关