FDMS3500
1个N沟道 耐压:75V 电流:49A 电流:9.2A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3500
- 商品编号
- C891049
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A；49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V,11.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.765nF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 18.8 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 4.2 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 16.1 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.5 mΩ
- 采用高性能技术，实现极低的漏源导通电阻（rDS(on)）
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流降压转换器-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关