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FDMQ8205A

描述: FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET，因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。传统二极管桥的功率损耗相对较高，在很多应用中都不希望发生这种情况。尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此，因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET，因此与传统二极管桥相比，可以降低由于电压降造成的功率损耗。FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压，消除 PoE PD 应用中的热设计问题。FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求，因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDMQ8205A
商品编号: C891034
商品封装: WDFN-12(4.5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	以太网供电(PoE)控制器
	类型	受电设备(PD)
	支持PoE标准	IEEE 802.3 at(PoE+)；IEEE 802.3 af(PoE)；IEEE 802.3 bt(PoE++)

	属性	参数值
	晶体管耐压	100V
	限制电流	1.7A
	工作温度	-40℃~+85℃

商品概述

FDMQ8205A 是 GreenBridge 2 系列的四 MOSFET，适用于桥接应用，使得输入对连接到设备的电源极性不敏感。许多已知的桥式整流电路可以使用典型的二极管进行配置。传统的二极管桥具有相对较高的功率损耗，在许多应用中这是不希望出现的。特别是在以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 应用中，需要高效率的桥，因为它应该在由 IEEE802.3at 分类的供电设备 (PSE) 提供的有限功率下工作。FDMQ8205A 配置了低 rDS(on) 的双 P-沟道 MOSFET 和 N-沟道 MOSFET，因此与传统二极管桥相比，它可以减少由电压降引起的功率损耗。FDMQ8205A 使应用能够最大化可用的功率和电压，并消除 PoE PD 应用中的热设计问题。

FDMQ8205A GreenBridge 2 通过不妥协检测和分类要求以及较小的反向电压，与 IEEE802.3at PoE 标准兼容。

应用领域

以太网供电(PoE)受电设备(PD)
IP电话
网络摄像头
无线接入点
薄客户端
微蜂窝
家庭基站

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交货周期

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购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)

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