- 引脚图
- 焊盘图
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FDMS0302S
FDMS0302S
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0302S
- 商品编号
- C891036
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.02nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
FDMS0302S旨在最大程度地减少电源转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步,在保持出色开关性能的同时,实现了最低的RDS(ON)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 28 A 时,最大 rDS(on) = 1.9 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 23 A 时,最大 rDS(on) = 2.4 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低RDS(ON)和高效率
- SyncFET肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关