FDMS0310AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:22A 电流:19A
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- 描述
- FDMS0310AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0310AS
- 商品编号
- C891040
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 41W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.28nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 19 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17 A时,最大导通电阻rDS(on) = 5.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- SyncFETTM肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流