FDMS0306AS
1个N沟道 耐压:30V 电流:26A 电流:49A
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- 描述
- FDMS0306AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，还保持出色的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS0306AS
- 商品编号
- C891037
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A；26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 59W；2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个 80V N 沟道 MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具备低 rDS(on)/Qg 品质因数的硅材料。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 26 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 23 A时,最大导通电阻rDS(on) = 3.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1级坚固封装设计
- 100%进行UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流