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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | MOSFET | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | - | |
| 开关频率 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 静态电流(Iq) | 510uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 长度 | - | |
| 宽度 | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
FDMF5075 是安森美半导体的新一代智能功率级解决方案，采用完全优化、超紧凑的集成 MOSFET 及驱动器，适用于大电流、高频同步降压 DC-DC 转换器。该集成方案优化了智能功率级的开关性能、驱动器与 MOSFET 的动态性能，并最大限度地降低了系统电感和功率 MOSFET 的导通电阻。通过将功率 MOSFET 与驱动 IC 集成，该器件实现了高精度的模块热监控和电流监控。FDMF5075 提供一个输出信号，用于报告模块的实时电流。该信号是一个高精度、比例为 5 μA/A 的信号，代表功率 MOSFET 漏极的实时电流。此信号可用于替代输出滤波电感 DCR 电流检测或电阻检测方法。FDMF5075 还包含一个高精度的模块热监控信号。该信号是一个电压源 PTAT 信号，经过校准可在 25°C 时提供 0.8 V 输出，斜率为 8 mV/°C。
商品特性
- 高达 20 A 的电流处理能力
- 高性能、通用封装、采用铜夹的 4 mm × 5 mm PQFN 封装
- 采用安森美 PowerTrench MOSFET 技术，提供干净的电压波形并减少振铃
- 采用击穿电压为 30 V/25 V 的 MOSFET，以实现更高的长期可靠性
- 针对 10% ~ 15% 占空比进行优化的 FET 对，以实现最高效率
- 针对高达 1 MHz 的开关频率进行优化
- 集成电流监控器，符合 Intel VR13 精度要求
- 集成温度监控器
- 灾难性故障检测功能：用于过温条件的热标志、过流保护故障、高侧短路检测故障、VCC 欠压锁定
- 采用安森美绿色封装并符合 RoHS 标准
应用领域
- 服务器
- 存储系统
- 计算设备
- 显卡
- 企业交换机