FDMF6824B

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDMF6824B
商品编号: C891027
商品封装: PQFN-40(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.804834克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	2mA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

XSTM DrMOS系列是仙童公司的下一代、完全优化、超紧凑、集成MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于大电流、高频、同步降压DC-DC应用。FDMF6824B将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强型、超紧凑的6x6mm封装中。通过集成方法，完整的开关功率级在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)方面得到了优化。XS™ DrMOS采用仙童公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，显著减少了开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需缓冲电路。具有减少死区时间和传播延迟的驱动器IC进一步提高了性能。热警告功能可警告潜在的过热情况。FDMF6824B还采用了跳过模式(SMOD#)以提高轻载效率。FDMF6824B还提供一个3态5V PWM输入，以与各种PWM控制器兼容。

商品特性

峰值效率超过93%
大电流处理能力：55A
高性能PQFN铜夹封装
3态5V PWM输入驱动器
跳过模式SMOD#（低端栅极关断）输入
过热情况热警告标志
驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
SMOD#和DISB#输入分别具有内部上拉和下拉
采用仙童PowerTrench®技术MOSFET，实现干净的电压波形并减少振铃
低端MOSFET采用仙童SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
集成自举肖特基二极管
自适应栅极驱动时序，防止直通
欠压锁定（UVLO）
针对高达1MHz的开关频率进行优化
薄型SMD封装
仙童绿色封装并符合RoHS标准
基于英特尔4.0 DrMOS标准

应用领域

高性能游戏主板
紧凑型刀片服务器
台式计算机
工作站
大电流DC-DC负载点转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	-
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	-
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	-
	下降时间(tf)	-