温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDML7610S
2个N沟道 耐压:30V 电流:17A 电流:12A
- 描述
- 该器件在双MLP封装中包括有两个专门的N沟道MOSFET。在内部已连接了开关节点，以便于同步降压转换器的布局和路由。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET (Q2) 旨在提供优化的功效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDML7610S
- 商品编号
- C891033
- 商品封装
- MLP-8(3x4.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个100V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装和低rDS(on)/Qg品质因数硅技术。
商品特性
- Q1:N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 12 A 时,最大 rDS(on) = 7.5 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 10 A 时,最大 rDS(on) = 12 mΩ
- Q2:N 沟道
- 在 VGS = 10 V、ID = 17 A 时,最大 rDS(on) = 4.2 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 14 A 时,最大 rDS(on) = 5.5 mΩ
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 计算
- 通信
- 通用负载点
- 笔记本电脑 VCORE