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FDMF6706C
FDMF6706C
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- 描述
- XS™ DrMOS家族是下一代、完全优化、超紧凑、集成MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频、同步降压DC-DC应用。FDMF6706C将驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强、超紧凑的6x6 mm PQFN封装中。采用集成方法，完整的开关功率级在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)方面得到优化。XS™ DrMOS采用高性能PowerTrench® MOSFET技术，可显著减少开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需缓冲电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMF6706C
- 商品编号
- C891016
- 商品封装
- PQFN-40(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.272克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
XS™ DrMOS系列是面向大电流、高频同步降压式DC-DC应用的下一代、完全优化、超紧凑、集成MOSFET和驱动器的功率级解决方案。FDMF6706C将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个散热增强型、超紧凑的6x6 mm PQFN封装中。 通过集成方式，完整的开关功率级在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET导通电阻RDS(ON)方面得到了优化。XS™ DrMOS采用高性能PowerTrench MOSFET技术，可显著减少开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需使用缓冲电路。 一款具有更短死区时间和传播延迟的新型驱动器IC进一步提升了该产品的性能。它还具备热警告功能，可对潜在的过热情况发出警告。FDMF6706C还集成了诸如跳周期模式（SMOD）等特性，以提高轻载效率，同时具备三态5 V PWM输入，可与多种PWM控制器兼容。
商品特性
- 峰值效率超过93%
- 可处理43 A大电流
- 高性能PQFN铜夹封装
- 三态5 V PWM输入驱动器
- 传播延迟比FDMF6704更短
- 死区时间比FDMF6704更短
- 跳周期模式SMOD#（低端栅极关断）输入
- 过热情况热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- SMOD#和DISB#输入分别具备内部上拉和下拉功能
- PowerTrench技术MOSFET，可实现干净的电压波形并减少振铃
- 低端MOSFET采用同步FET（集成肖特基二极管）技术
- 集成自举肖特基二极管
- 自适应栅极驱动时序，用于防止直通
- 欠压锁定（UVLO）
- 针对高达1 MHz的开关频率进行优化
- 薄型SMD封装
- 环保封装，符合RoHS标准
- 基于Inte 4.0 DrMOS标准
应用领域
- 高性能游戏主板
- 紧凑型刀片服务器、V-Core和非V-Core DC-DC转换器
- 台式电脑、V-Core和非V-Core DC-DC转换器
- 工作站大电流DC-DC负载点（POL）转换器
- 网络和电信微处理器电压调节器
- 小尺寸电压调节器模块
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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