FDMF6840C-F013
FDMF6840C-F013
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMF6840C-F013
- 商品编号
- C891030
- 商品封装
- PQFN-40-EP(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
XS™ DrMOS系列是下一代、完全优化、超紧凑的集成MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于大电流、高频同步降压DC-DC应用。FDMF6840C将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强型、超紧凑的6×6 mm封装中。 通过集成方式，整个开关功率级在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET的RDS(ON)方面得到了优化。XS™ DrMOS采用高性能PowerTrench MOSFET技术，显著减少了开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需缓冲电路。 具有更短死区时间和传播延迟的驱动器IC进一步提升了性能。热警告功能可对潜在的过热情况发出警告。FDMF6840C还采用了跳周期模式（SMOD#）以提高轻载效率。FDMF6840C还提供一个3态3.3 V PWM输入，以兼容各种PWM控制器。
商品特性
- 峰值效率超过93%
- 大电流处理能力：50 A
- 高性能PQFN铜夹封装
- 3态3.3 V PWM输入驱动器
- 跳周期模式SMOD#（低端栅极关断）输入
- 过热情况热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- SMOD#和DISB#输入分别具有内部上拉和下拉电阻
- 采用安森美半导体PowerTrench技术的MOSFET，可实现干净的电压波形并减少振铃
- 低端MOSFET采用安森美半导体SyncFET（集成肖特基二极管）技术
- 集成自举肖特基二极管
- 自适应栅极驱动时序，用于防止直通
- 欠压锁定（UVLO）
- 针对高达1 MHz的开关频率进行优化
- 薄型SMD封装
- 基于英特尔4.0 DrMOS标准的安森美半导体绿色封装且符合RoHS标准
应用领域
- 高性能游戏主板
- 紧凑型刀片服务器、V核心和非V核心DC-DC转换器
- 台式电脑、V核心和非V核心DC-DC转换器
- 工作站
- 大电流DC-DC负载点转换器
- 网络和电信微处理器电压调节器
- 小尺寸电压调节器模块
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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