FDMF6707C
FDMF6707C
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMF6707C
- 商品编号
- C891018
- 商品封装
- PQFN-40(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.804834克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 6ns；20ns | |
| 下降时间(tf) | 5ns；13ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 3.04V~4.05V | |
| 输入低电平(VIL) | 840mV~1.42V | |
| 静态电流(Iq) | 2mA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
XS™ DrMOS系列是仙童公司的下一代、完全优化的集成MOSFET加驱动器功率级解决方案，适用于大电流、高频、同步降压DC-DC应用。FDMF6707C将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强型、超紧凑的6x6 mm PQFN封装中。
通过集成方法，整个开关功率级针对驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)进行了优化。XS™ DrMOS采用仙童公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术，该技术显著减少了开关振铃，在大多数降压转换器应用中消除了缓冲电路。
一款具有更短死区时间和传播延迟的新型驱动器IC进一步提升了性能。热警告功能可指示潜在的过热情况。FDMF6707C还具备诸如跳周期模式（SMOD）以提高轻载效率，以及一个三态5 V PWM输入，以与各种PWM控制器兼容。
商品特性
- 峰值效率超过93%
- 可处理50 A大电流
- 高性能PQFN铜夹封装
- 三态5.0 V PWM输入驱动器
- 跳周期模式SMOD#（低端栅极关断）输入
- 过热状态热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- SMOD#和DISB#输入分别具有内部上拉和下拉功能
- 采用仙童PowerTrench®技术MOSFET，实现干净的电压波形并减少振铃
- 低端MOSFET采用仙童SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
- 集成自举肖特基二极管
- 自适应栅极驱动时序，用于防止直通
- 欠压锁定（UVLO）
- 针对高达1MHz的开关频率进行优化
- 薄型SMD封装
- 仙童绿色封装且符合RoHS标准
- 基于英特尔® 4.0 DrMOS标准
应用领域
- 高性能游戏主板
- 紧凑型刀片服务器
- 台式电脑
- 工作站
- 大电流DC-DC负载点（POL）转换器