FDMD8630
2个N沟道 耐压:30V 电流:38A 电流:167A
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- 描述
- 此 封装 在共源配置中集成了两个内部连接的 N 沟道器件。 因此实现了极低的封装寄生，以及通向底部共源片的优化热路径。 提供了极小的占地面积 (5 x 6 mm)，实现了更高的功率密度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8630
- 商品编号
- C890988
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A；167A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V,38A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 43W；2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.93nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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