FDMD8630
2个N沟道 耐压:30V 电流:38A 电流:167A
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- 描述
- 此 封装 在共源配置中集成了两个内部连接的 N 沟道器件。 因此实现了极低的封装寄生，以及通向底部共源片的优化热路径。 提供了极小的占地面积 (5 x 6 mm)，实现了更高的功率密度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8630
- 商品编号
- C890988
- 商品封装
- PQFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A；167A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 43W；2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.93nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个60V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具备低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
商品特性
- 共源极配置,无需PCB布线
- 封装底部设有大尺寸源极焊盘,散热性能更佳
- VGS = 10 V、ID = 38 A时,最大rDS(on) = 1.0 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 33 A时,最大rDS(on) = 1.3 mΩ
- 非常适合次级侧同步整流的灵活布局
- 经过100% UIL测试
- 该器件无铅,符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC-DC同步整流器-共地负载开关