- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMD8260LET60
FDMD8260LET60
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMD8260LET60
- 商品编号
- C890982
- 商品封装
- PQFN-12(3.3x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.745nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 558pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件在双功率(3.3 mm X 5 mm)封装中集成了两个60V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部连接,适用于半桥/全桥应用,采用低源极电感封装,具备低rDS(on)/Qg品质因数的硅片。
商品特性
- 扩展的结温(TJ)额定值至175°C
- VGS = 10 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 5.8 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 12 A时,最大rDS(on) = 8.7 mΩ
- 非常适合桥拓扑结构初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压:电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥:无刷直流(BLDC)电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点(MV POL):48V同步降压开关