PHD18NQ10T-HXY
PHD18NQ10T-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏源电压为100V，支持20A连续漏极电流，导通电阻典型值为80毫欧。低阻抗特性有助于减小通路压降与功率损耗，提升系统整体能效。器件适用于开关电源、直流电机驱动及电池管理模块中的功率切换环节，在高频脉冲工作条件下可保持稳定的电气性能与良好的热平衡表现。
- 商品型号
- PHD18NQ10T-HXY
- 商品编号
- C54582712
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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