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SQ4483EY-T1_GE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管额定漏极电流15A，漏源击穿电压30V，导通电阻仅7.5毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件凭借低导通阻抗特性，适用于低压大电流开关场景，如电池组保护、负载切换电路及便携式设备电源管理。其参数配置适合中等功率直流配电架构，能在有限空间内实现高效电能控制，降低导通损耗并提升系统热性能表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQ4483EY-T1_GE3-HXY
商品编号: C54582715
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数

SQ4483EY-T1_GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。