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STD12NF06T4-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管是一款针对中等功率应用优化的控制器件，具备60V的漏源耐压值，能够稳定承载8A的连续电流。其导通电阻约为88mΩ，这一特性确保了器件在导通状态下的功率损耗维持在较低水平，有助于提升电路整体的能效表现。在应用方面，它常被应用于各类便携式电子产品的电源管理模块中，作为高效的负载开关或电池保护元件。此外，在直流电机驱动或LED照明控制电路中，该器件也能凭借稳定的开关特性，实现对负载电流的精准调节与控制。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD12NF06T4-HXY
商品编号: C54582735
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

STD12NF06T4采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。