HUF76445P3-HXY
HUF76445P3-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管(MOSFET)专为高功率密度的电能管理场景打造。其60V的耐压值与高达80A的电流处理能力,使其能够从容应对大电流负载的瞬时冲击。尤为突出的是其5.8mΩ的极低导通电阻,在通过大电流时能有效抑制发热,将导通损耗降至最低,这对于提升系统效率和简化散热设计至关重要。配合20V的栅源电压范围,它能与多种驱动电路良好兼容,实现快速、可靠的开关动作。因此,该器件非常适合作为核心开关,应用于大功率电机驱动、高性能电池管理系统以及大电流DC-DC转换模块中。
- 商品型号
- HUF76445P3-HXY
- 商品编号
- C54582756
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80.85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.629nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 228pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280.25pF |
商品概述
HUF76445P3采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 80A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 7mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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