立创商城logo
购物车0
HUF76445P3-HXY实物图
  • HUF76445P3-HXY商品缩略图
  • HUF76445P3-HXY商品缩略图
  • HUF76445P3-HXY商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HUF76445P3-HXY

HUF76445P3-HXY

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
这款N沟道场效应管(MOSFET)专为高功率密度的电能管理场景打造。其60V的耐压值与高达80A的电流处理能力,使其能够从容应对大电流负载的瞬时冲击。尤为突出的是其5.8mΩ的极低导通电阻,在通过大电流时能有效抑制发热,将导通损耗降至最低,这对于提升系统效率和简化散热设计至关重要。配合20V的栅源电压范围,它能与多种驱动电路良好兼容,实现快速、可靠的开关动作。因此,该器件非常适合作为核心开关,应用于大功率电机驱动、高性能电池管理系统以及大电流DC-DC转换模块中。
商品型号
HUF76445P3-HXY
商品编号
C54582756
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.836克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)120W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80.85nC@10V
输入电容(Ciss)3.629nF
反向传输电容(Crss)228pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)280.25pF

商品概述

HUF76445P3采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 80A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 7mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF