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STD80N4F6-HXY

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描述: 该N沟道场效应管专为高效功率管理设计，具备40V的漏源击穿电压，能够稳定应对中低压电路环境。其核心优势在于80A的连续漏极电流处理能力，结合5.5mΩ的极低导通电阻，显著降低了能量传输过程中的热损耗。栅源电压耐受范围达到±20V，增强了器件在复杂驱动信号下的可靠性。凭借这些特性，它非常适合应用于各类高性能DC-DC转换器、智能电池管理系统以及大功率负载开关电路中，确保系统在满载工况下依然保持优异的能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD80N4F6-HXY
商品编号: C54582773
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

STD80N4F6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。