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NVTFS5C460NLWFTAG-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效能电源管理设计，具备40V的漏源耐压能力，可稳定应对中等电压环境下的负载切换需求。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下仅为4.2mΩ，这意味着在大电流通过时产生的热损耗极小，有助于维持系统的高能效与热稳定性。该器件能够承载70A的连续漏极电流，配合±20V的栅源电压耐受范围，使其在驱动电路设计上拥有较宽的安全余量。它非常适合应用于高密度DC-DC转换器、锂电池保护模组以及各类需要快速响应和低功耗的负载开关场景，是构建紧凑型、高效率电子系统的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS5C460NLWFTAG-HXY
商品编号: C54582775
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.086克(g)

商品参数

NVTFS5C460NLWFTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。