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IRFR540ZPBF-HXY实物图
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IRFR540ZPBF-HXY

IRFR540ZPBF-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为中高压功率管理设计,其100V耐压与30A电流承载能力,可应对多数中功率场景的负载需求。24mΩ的低导通电阻能有效降低导通损耗,减少器件发热,±20V栅源电压则适配常规驱动电路,无需复杂的电压适配设计。 它常用于DC/DC降压转换器,作为核心开关管实现电能高效转换;也可用于电动工具、智能设备的电机驱动电路,通过栅极信号精准控制电机电流;在LED驱动、便携储能设备的充放电回路中,还能承担同步整流功能,提升整体电路能效。
商品型号
IRFR540ZPBF-HXY
商品编号
C54582793
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)2.857nF
反向传输电容(Crss)99pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)126pF

商品概述

IRFR540ZPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):100V
  • 漏极电流(ID):30A
  • 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 30 mΩ(栅源电压VGS = 10V)

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF