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STS11NF30L-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压与10A的连续漏极电流处理能力，其核心优势在于低至9mΩ的导通电阻，能有效降低大电流传输过程中的能量损耗与热积累。器件支持±20V的栅源电压范围，确保了在各类驱动电路中的逻辑兼容性与操作安全性。凭借低阻抗特性，该组件非常适用于高效DC-DC转换器、便携式设备的电源管理模块以及各类低压负载开关设计，为精密电子系统提供稳定可靠的功率控制解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STS11NF30L-HXY
商品编号: C54582813
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

STS11NF30L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。