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NTMS4802NR2G-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管是一款面向高效能电源设计的功率开关器件。其核心优势在于3.3mΩ的极低导通电阻，配合30A的持续电流能力，能够在DC-DC转换或负载开关应用中，将导通损耗降至最低，从而提升整体能效并简化散热设计。30V的耐压等级使其成为12V至24V供电系统的理想选择，而20V的栅源电压范围则确保了与各类驱动芯片的稳定匹配。该器件广泛应用于笔记本电脑主板的核心供电、便携式设备的快充方案、以及各类高密度电源模块中，是实现小型化与高效率的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMS4802NR2G-HXY
商品编号: C54582827
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.158克(g)

商品参数

NTMS4802NR2G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。