IRFR5410TRPBF-HXY
IRFR5410TRPBF-HXY
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- 描述
- 这款P沟道场效应管具备100V耐压与15A电流处理能力,专为中高压电源切换设计。其140mΩ的导通电阻在同类产品中实现了良好的功耗平衡,配合20V的栅源极耐压范围,能适应复杂的驱动环境。该器件利用P沟道特有的高侧开关优势,无需电荷泵即可实现简单的逻辑电平驱动,非常适合应用于电机调速电路、电池保护模块以及DC-DC转换器的高边控制,能够在确保系统稳定性的同时简化电路拓扑结构。
- 商品型号
- IRFR5410TRPBF-HXY
- 商品编号
- C54582840
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
IRFR5410TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -15A
- 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 170mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
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