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IRFR5410TRRPBF-HXY
IRFR5410TRRPBF-HXY
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- 描述
- 这款P沟道场效应管专为100V电压平台设计，具备15A的持续电流负载能力。其140mΩ的导通电阻有效降低了通路损耗，配合±20V的栅极电压耐受范围，为驱动电路设计提供了充足的容错空间。器件利用空穴导电特性，特别适合构建高侧电源开关，常见于电池组的充放电保护、输入端防反接电路，以及各类需要高效电源路径管理的便携设备中。
- 商品型号
- IRFR5410TRRPBF-HXY
- 商品编号
- C54582842
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
IRFR5410TRRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100V，漏极电流（ID） = -15A
- 当栅源电压（VGS） = -10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 170mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- IPD19DP10NMATMA1-HXY
- AUIRFR5410-IR-HXY
- AUIRFR5410TRL-HXY
- PHP20NQ20T-HXY
- FQP18N20V2-HXY
- FQP19N20L-HXY
- IRFR5410PBF-HXY
- IRFR5410TRLPBF-HXY
- PSMN057-200P-HXY
- FDP18N20F-HXY
- PXN018-30QLJ-HXY
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- DMN3025LFG-13-HXY
- SI7804DN-T1-GE3-HXY
- SI7804DN-T1-E3-HXY
- BL24C32F-TCRC
- UL2464 12C*30AWG 8M/ROLL
- UL592-20549 4C*24AWG 7M/ROLL
- D3-90°-D12.7 -T3
- D4-120°-D12.7 -T3
- D3.5-100°-D12.7 -T3