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PXN018-30QLJ-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计，在30V耐压下支持20A连续电流，15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景，能有效提升电源转换效率。典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关，尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PXN018-30QLJ-HXY
商品编号: C54582853
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.089583克(g)

商品参数

PXN018 - 30QLJ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。