PXN018-30QLJ-HXY

PXN018-30QLJ-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计，在30V耐压下支持20A连续电流，15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景，能有效提升电源转换效率。典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关，尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

PXN018-30QLJ-HXY

商品编号

C54582853

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)