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SI7804DN-T1-GE3-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计，具备30V耐压与20A连续电流处理能力。其核心优势在于极低的15mΩ导通电阻，能显著降低回路损耗与发热，配合±20V的宽栅极电压范围，确保了在复杂电路中的驱动稳定性。该器件非常适合应用于锂电池保护板、便携式设备的快充方案以及LED恒流驱动电路，在负载开关场景中也能提供可靠的通断控制，是低压大电流路径管理的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI7804DN-T1-GE3-HXY
商品编号: C54582856
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

SI7804DN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。