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DMN3025LFG-7-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高效电源管理设计，具备30V耐压能力与20A连续电流负载表现。其导通电阻控制在15mΩ水平，配合±20V栅极驱动范围，在低压大电流场景中能有效抑制热损耗。器件采用增强型结构，通过栅极电压精准调控导电沟道，实现纳秒级开关响应。典型应用涵盖便携式设备快充模块、LED恒流驱动电路及小型储能系统的功率切换单元，其紧凑的封装形式便于在空间受限的电路板上实现高集成度布局。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMN3025LFG-7-HXY
商品编号: C54582854
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.09克(g)

商品参数

DMN3025LFG - 7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。