DMN3025LFG-13-HXY
DMN3025LFG-13-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管在30V电压等级下实现了性能与效率的平衡。其15mΩ的导通电阻有效抑制了导通损耗,配合20A的电流处理能力,使其在紧凑的电路板布局中也能维持较低的工作温度。20V的栅极耐压为驱动设计提供了充足的裕度,提升了系统在复杂工况下的稳定性。 它常被用于多节锂电池组的保护模块,作为充放电回路的电子开关。在服务器或通信设备的分布式电源架构中,它也能胜任负载点转换器的同步整流角色,确保电能的高效传输与分配。
- 商品型号
- DMN3025LFG-13-HXY
- 商品编号
- C54582855
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
DMN3025LFG - 13采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SI7804DN-T1-GE3-HXY
- SI7804DN-T1-E3-HXY
- BL24C32F-TCRC
- UL2464 12C*30AWG 8M/ROLL
- UL592-20549 4C*24AWG 7M/ROLL
- D3-90°-D12.7 -T3
- D4-120°-D12.7 -T3
- D3.5-100°-D12.7 -T3
- D3.5-90°-D12.7 -T3
- D3.5-120°-D12.7 -T3
- D4-90°-D12.7 -T3
- APZ-1015UC
- D3-100°-D12.7 -T3
- D4-100°-D12.7 -T3
- D3-120°-D12.7 -T3
- XY-1.25-3PWT-BD
- XY-SM08B-SRSS-TB
- XY-SM02B-GHS-TB
- XY-SM03B-GHS-TB
- XY-S2B-PH-SM4-TB
- XY-BM05B-SRSS-TB


