FDP18N20F-HXY

FDP18N20F-HXY

描述

这款N沟道场效应管专为高压应用场景打造，具备200V的漏源击穿电压与18A的持续电流处理能力。其120mΩ的低导通电阻有效抑制了导通损耗，配合20V的栅源电压范围，能够简化驱动电路设计并提升系统响应速度。 基于N沟道器件的高电子迁移率特性，该型号在开关电源拓扑中表现优异，尤其适用于适配器和LED照明控制模块。在电机调速及各类高边驱动电路中，它能实现精准的功率转换与信号放大，确保电路在高压环境下保持稳定的工作状态。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDP18N20F-HXY

商品编号

C54582852

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)