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FDP18N20F-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管专为高压应用场景打造，具备200V的漏源击穿电压与18A的持续电流处理能力。其120mΩ的低导通电阻有效抑制了导通损耗，配合20V的栅源电压范围，能够简化驱动电路设计并提升系统响应速度。基于N沟道器件的高电子迁移率特性，该型号在开关电源拓扑中表现优异，尤其适用于适配器和LED照明控制模块。在电机调速及各类高边驱动电路中，它能实现精准的功率转换与信号放大，确保电路在高压环境下保持稳定的工作状态。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP18N20F-HXY
商品编号: C54582852
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.132克(g)

商品参数

FDP18N20F采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。