IRFR5410PBF-HXY
IRFR5410PBF-HXY
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- 描述
- 这款P沟道场效应管专为高侧开关应用设计,在100V的漏源耐压下,可承载15A的连续负载电流。其导通电阻为140mΩ,配合±20V的栅极耐压范围,既保证了功率传输效率,也为驱动电路提供了宽裕的设计空间。 该器件常用于电源输入端,通过简单的逻辑电平即可控制主回路的通断,有效简化了电路设计。在电池供电系统中,它能作为防反接保护元件,防止因电源接反而损坏后级电路。此外,它也适用于DC-DC转换器中的高侧整流,或作为电子负载开关,实现对不同功能模块的独立供电管理。
- 商品型号
- IRFR5410PBF-HXY
- 商品编号
- C54582849
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
IRFR5410PBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -100V,ID = -15A
- RDS(ON) < 170mΩ(@ VGS = -10V)
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- IRFR5410TRLPBF-HXY
- PSMN057-200P-HXY
- FDP18N20F-HXY
- PXN018-30QLJ-HXY
- DMN3025LFG-7-HXY
- DMN3025LFG-13-HXY
- SI7804DN-T1-GE3-HXY
- SI7804DN-T1-E3-HXY
- BL24C32F-TCRC
- UL2464 12C*30AWG 8M/ROLL
- UL592-20549 4C*24AWG 7M/ROLL
- D3-90°-D12.7 -T3
- D4-120°-D12.7 -T3
- D3.5-100°-D12.7 -T3
- D3.5-90°-D12.7 -T3
- D3.5-120°-D12.7 -T3
- D4-90°-D12.7 -T3
- APZ-1015UC
- D3-100°-D12.7 -T3
- D4-100°-D12.7 -T3
- D3-120°-D12.7 -T3


