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IRFR5410TRLPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFR5410TRLPBF-HXY

IRFR5410TRLPBF-HXY

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描述
这是一款P沟道增强型场效应管,其核心特性在于通过栅极电压精准调控电流。在100V的耐压环境下,它能稳定承载15A的连续电流,同时140mΩ的导通电阻确保了高效的能量传输,有效降低了导通损耗。±20V的栅源电压范围赋予了其良好的驱动兼容性。 凭借其独特的P沟道特性,该器件非常适合用于高端开关配置,无需复杂的电荷泵驱动电路即可直接控制负载。它广泛应用于便携式电子设备、消费类产品的电源管理模块以及各类负载开关电路中,是实现电路高效通断与功率分配的理想选择。
商品型号
IRFR5410TRLPBF-HXY
商品编号
C54582850
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
耗散功率(Pd)34W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)2.448nF
反向传输电容(Crss)54pF
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)69pF

商品概述

IRFR5410TRLPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -15A
  • 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 170mΩ

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF