IRFR5410TRLPBF-HXY
IRFR5410TRLPBF-HXY
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- 描述
- 这是一款P沟道增强型场效应管,其核心特性在于通过栅极电压精准调控电流。在100V的耐压环境下,它能稳定承载15A的连续电流,同时140mΩ的导通电阻确保了高效的能量传输,有效降低了导通损耗。±20V的栅源电压范围赋予了其良好的驱动兼容性。 凭借其独特的P沟道特性,该器件非常适合用于高端开关配置,无需复杂的电荷泵驱动电路即可直接控制负载。它广泛应用于便携式电子设备、消费类产品的电源管理模块以及各类负载开关电路中,是实现电路高效通断与功率分配的理想选择。
- 商品型号
- IRFR5410TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C54582850
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
IRFR5410TRLPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -100V,漏极电流(ID) = -15A
- 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 170mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- PSMN057-200P-HXY
- FDP18N20F-HXY
- PXN018-30QLJ-HXY
- DMN3025LFG-7-HXY
- DMN3025LFG-13-HXY
- SI7804DN-T1-GE3-HXY
- SI7804DN-T1-E3-HXY
- BL24C32F-TCRC
- UL2464 12C*30AWG 8M/ROLL
- UL592-20549 4C*24AWG 7M/ROLL
- D3-90°-D12.7 -T3
- D4-120°-D12.7 -T3
- D3.5-100°-D12.7 -T3
- D3.5-90°-D12.7 -T3
- D3.5-120°-D12.7 -T3
- D4-90°-D12.7 -T3
- APZ-1015UC
- D3-100°-D12.7 -T3
- D4-100°-D12.7 -T3
- D3-120°-D12.7 -T3
- XY-1.25-3PWT-BD


