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PHP20NQ20T-HXY实物图
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PHP20NQ20T-HXY

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描述
这款N沟道场效应管专为200V高压应用设计,具备18A的连续电流处理能力,其120mΩ的导通电阻有助于降低功率损耗并提升系统效率。器件支持±20V的栅极驱动电压,提供了良好的驱动设计余量。 凭借出色的耐压特性,它非常适合用于高压开关电源、AC-DC适配器和DC-DC转换器等场景。同时,其快速的开关性能也使其能够胜任H桥电机驱动、音频放大器和各类需要高效功率转换的电子设备,为设计者提供了一种可靠的高压功率开关解决方案。
商品型号
PHP20NQ20T-HXY
商品编号
C54582846
商品封装
TO-220C​
包装方式
管装
商品毛重
3.145833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)30pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

PHP20NQ20T采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 18A
  • RDS(ON) < 0.15mΩ(@ VGS = 10V)

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF