PHP20NQ20T-HXY
PHP20NQ20T-HXY
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- 描述
- 这款N沟道场效应管专为200V高压应用设计,具备18A的连续电流处理能力,其120mΩ的导通电阻有助于降低功率损耗并提升系统效率。器件支持±20V的栅极驱动电压,提供了良好的驱动设计余量。 凭借出色的耐压特性,它非常适合用于高压开关电源、AC-DC适配器和DC-DC转换器等场景。同时,其快速的开关性能也使其能够胜任H桥电机驱动、音频放大器和各类需要高效功率转换的电子设备,为设计者提供了一种可靠的高压功率开关解决方案。
- 商品型号
- PHP20NQ20T-HXY
- 商品编号
- C54582846
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.145833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
PHP20NQ20T采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 200V,ID = 18A
- RDS(ON) < 0.15mΩ(@ VGS = 10V)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- FQP18N20V2-HXY
- FQP19N20L-HXY
- IRFR5410PBF-HXY
- IRFR5410TRLPBF-HXY
- PSMN057-200P-HXY
- FDP18N20F-HXY
- PXN018-30QLJ-HXY
- DMN3025LFG-7-HXY
- DMN3025LFG-13-HXY
- SI7804DN-T1-GE3-HXY
- SI7804DN-T1-E3-HXY
- BL24C32F-TCRC
- UL2464 12C*30AWG 8M/ROLL
- UL592-20549 4C*24AWG 7M/ROLL
- D3-90°-D12.7 -T3
- D4-120°-D12.7 -T3
- D3.5-100°-D12.7 -T3
- D3.5-90°-D12.7 -T3
- D3.5-120°-D12.7 -T3
- D4-90°-D12.7 -T3
- APZ-1015UC


